IPD031N06L3GATMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPD031N06L3GATMA1 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $2.91 |
10+ | $2.617 |
100+ | $2.1039 |
500+ | $1.7285 |
1000+ | $1.4322 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 93µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO252-3 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 100A, 10V |
Verlustleistung (max) | 167W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13000 pF @ 30 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 79 nC @ 4.5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 100A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPD031 |
IPD031N06L3GATMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPD031N06L3GATMA1 PDF - EN.pdf |
IPD034N06N3 G Infineon Technologies
IPD031N06L3 G Infineon Technologies
IPD035N06L3G INFINEO
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
IPD031N03LG I
IPD034N06N3G I
IPD031N06L3G I
IPD035N06L3 G INFINEON
IPD031N03L G INFINEO
INFINEON TO-252
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
INFINEON TO-252
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
INFINEO TO-252
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
2023/12/20
2024/06/21
2024/04/13
2024/04/13
IPD031N06L3GATMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|